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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS50KM-3-A8
FS50KM-3-A8 PDF预览

FS50KM-3-A8

更新时间： 2024-11-20 07:00:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 173K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS50KM-3-A8 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FN, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.031 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS50KM-3-A8 数据手册

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FS50KM-3  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G1419-0200  
(Previous: MEJ02G0117-0101)  
Rev.2.00  
Aug 07, 2006  
Features  
•
•
•
•
•
•
Drive voltage : 10 V  
DSS : 150 V  
DS(ON) (max) : 31 mΩ  
V
r
ID : 50 A  
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 130 ns  
Viso : 2000 V  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AB-A  
(Package name: TO-220FN)  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
3
Applications  
Motor control, Lamp contrDC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
Conditions  
VGS = 0 V  
150  
V
V
±20  
VDS = 0 V  
50  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche drain current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
200  
A
IDA  
50  
50  
A
L = 100 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
ISM  
200  
A
PD  
35  
W
°C  
°C  
V
Tch  
Tstg  
Viso  
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2000  
AC for 1 minute,  
Terminal to case  
Mass  
—
2.0  
g
Typical value  
Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6  
1234567

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