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FS10UM-14A

更新时间: 2024-11-22 22:08:27
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三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS10UM-14A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:1.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FS10UM-14A 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS10UM-14A  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
FS10UM-14A  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
4.5  
1.3  
10.5MAX.  
r
φ 3.6  
1.0  
0.8  
2.54  
2.54  
0.5  
2.6  
q
w e  
w r  
q GATE  
w DRAIN  
e SOURCE  
r DRAIN  
q
¡VDSS ................................................................................700V  
¡rDS (ON) (MAX) ................................................................ 1.3  
¡ID ......................................................................................... 10A  
e
TO-220  
APPLICATION  
SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power  
supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-  
sonal computer etc.  
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
VGS = 0V  
VDS = 0V  
700  
±30  
V
10  
A
IDM  
Drain current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Weight  
30  
150  
A
PD  
W
°C  
°C  
g
Tch  
–55 ~ +150  
–55 ~ +150  
2
Tstg  
Typical value  
Feb.1999  

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