FS10UM-5

更新时间： 2024-11-22 22:08:27

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	47K
描述
NCH OIWER MOSFET

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FS10UM-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.52 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS10UM-5 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS10UMA-5A

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS10UMA-5A

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

1.3

10.5MAX.

➃

φ 3.6

1.0

0.8

2.54

0.5

2.6

➀

➁ ➂

➁➃

➀

➁

➂

➃

GATE

DRAIN

SOURCE

DRAIN

➀

● 10V DRIVE

● VDSS ............................................................................... 250V

● rDS (ON) (MAX) ..............................................................0.52Ω

● ID......................................................................................... 10A

➂

TO-220

APPLICATION

CS Switch for CRT Display monitor

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

250

±20

IDM

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

IDA

L = 200µH

°C

Tch

–55 ~ +150

2.0

Tstg

—

Typical value

Jan. 2000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FS10UM-6	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10UM-6	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
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