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FP25R12W1T7B11BPSA1

更新时间: 2024-01-13 06:33:50
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14页 858K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

FP25R12W1T7B11BPSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownFactory Lead Time:14 weeks
风险等级:1.91峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

FP25R12W1T7B11BPSA1 数据手册

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FP25R12W1T7_B11  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
RGonꢀ=ꢀ6.2ꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
50  
2,5  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 175°C  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Tvj = 175°C  
2,0  
1,5  
1,0  
0,5  
0,0  
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
2,5  
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50  
VF [V]  
IF [A]  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)  
IFꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV  
2,5  
10  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 175°C  
ZthJH : Diode  
2,0  
1,5  
1,0  
0,5  
0,0  
1
0,1  
i:  
ri[K/W]: 0,133  
τi[s]:  
1
2
0,33  
3
4
0,859 0,718  
0,00562 0,00778 0,0473 0,203  
0,01  
0,001  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG []  
Datasheet  
10  
Vꢀ2.0  
2018-12-13  

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