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FP25R12KE3

更新时间： 2024-01-09 01:21:06
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EUPEC 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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11页 201K
描述
IGBT-Module

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FP25R12KE3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.05Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X24
元件数量：7端子数量：24
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：610 ns标称接通时间 (ton)：135 ns
VCEsat-Max：2.15 VBase Number Matches：1

FP25R12KE3 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FP25R12KE3  
Vorläufige Daten  
Preliminary data  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
1600  
60  
V
A
A
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
maximum RMS current at Rectifier output  
IRMSmax  
Dauergleichstrom  
TC = 80°C  
Id  
25  
DC forward current  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
IFSM  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
315  
260  
500  
340  
A
A
A2s  
A2s  
I2t  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
V
IC,nom.  
IC  
Tc = 80 °C  
25  
40  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms,  
TC  
=
ICRM  
Ptot  
80 °C  
50  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
150  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Tc = 80 °C  
tP = 1 ms  
25  
50  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
IFRM  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
I2t  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
170  
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
1200  
V
TC = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
15  
25  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
Ptot  
30  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
100  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Tc = 80 °C  
10  
20  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
prepared by: Andreas Schulz  
approved by: Hornkamp  
date of publication:06.03.2001  
revision: 1  
1(11)  
DB-PIM-IGBT3_1.xls  
1234567...11

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