Datasheet > FP25R12KS4CV2

FP25R12KS4CV2

更新时间： 2022-01-21 16:03:00

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	155K
描述
IGBT Module

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FP25R12KS4CV2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP25R12KS4C

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier

Periodische Rückw. Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

1600

Durchlaßstrom Grenzeffektivwert

RMS forward current per chip

I_FRMSM

Dauergleichstrom

T_C= 80°C

I_d

DC forward current

t_P= 10 ms, T_vj= 25°C

t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

t_P= 10 ms, T_vj= 25°C

t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

I_FSM

Stoßstrom Grenzwert

surge forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

300

230

450

260

A²s

I²t

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1200

I_C,nom.

I_C

Tc = 80 °C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms,

T_C=

I_CRM

80 °C

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C= 25°C

P_tot

230

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Tc = 80 °C

t_P= 1 ms

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t - value

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

125

Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1200

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

12,5

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

P_tot

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C= 25°C

100

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Tc = 80 °C

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

prepared by: A.Schulz

date of publication: 2001-11-28

revision: 2

approved by: M.Hierholzer

1/11

DB-PIM-S_IGBT_V2.xls

2001-11-28

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与FP25R12KS4CV2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FP25R12KT3	EUPEC	IGBT-inverter	获取价格
FP25R12KT3	INFINEON	EconoPIM™ 2 1200 V、25 A 三相 PIM IGBT 模块，采用快速 T	获取价格
FP25R12KT4	INFINEON	EconoPIM?2 module with trench/feldstopp IGBT4 and emitter controlled 4 diode	获取价格
FP25R12KT4_B11	INFINEON	PressFIT	获取价格
FP25R12KT4_B15	INFINEON	EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode	获取价格
FP25R12KT4B11BOSA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor	获取价格