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FP10R06KL4B3V6

更新时间： 2022-01-19 05:56:00

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBT Module

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FP10R06KL4B3V6 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R06KL4B3

Vorläufig

Preliminary

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.

R_thJH

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

2,6

2,8

4,3

K/W

ꢂ

_Paste=1W/m*K

_grease=1W/m*K

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to heatsink

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

Diode Wechsr./ Diode Inverter

ꢂ

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

Diode Wechsr./ Diode Inverter

2,4

2,2

3,1

K/W

R_thCH

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Gleichr. Diode/ Rectif. Diode

Trans. Wechsr./ Trans. Inverter

Diode Wechsr./ Diode Inverter

0,4

0,8

1,5

K/W

ꢂ

_Paste=1W/m*K

_grease=1W/m*K

ꢂ

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

T_vj

T_op

T_stg

150

125

°C

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Innere Isolation

Al₂O₃

225

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder

mounting force per clamp

40...80

Gewicht

weight

Kontakt - Kühlkörper

terminal to heatsink

creeping distance

13,5

Kriechstrecke

Luftstrecke

clearance

Terminal - Terminal

Kriechstrecke

7,5

terminal to terminal

creeping distance

Luftstrecke

clearance

4(11)

1 2 345 6 7...11

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