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FMY22N60ESF

更新时间： 2024-04-09 19:02:40

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富士电机 - FUJI		/
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TO-247

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FMY22N60ESF 数据手册

FMY22N60ESF

FUJI POWER MOSFET

Automotive

http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/index.html

Drain-source on-state resistance

RDS(on)=f (Tch)：ID=11A, VGS=10V

Gate Threshold Voltage vs. Tch

VGS(th)=f (Tch)：VDS=VGS, ID=250μ A

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

Max.

Typ.

max.

typ.

MIn.

-50 -25

75 100 125 150

-50 -25

75 100 125 150

Tch [℃]

Typical Gate Charge Characteristics

VGS=f (Qg)：ID=22A, Tch=25℃

Typical capacitances

C=f (VDS)：VGS=0V, f=1MHz

10⁵

10⁴

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

Vcc=120V

Ciss

300V

480V

Coss

Crss

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

100

150

Qg [nC]

VDS [V]

Typical Switdhing Characteristics vs. ID

Typcal Forward Characteristics of Reverse Diode

t=f (ID)：Vcc=300V, VGS=10V, RG=10Ω

IF=f (VSD)：80μ s pulse test, Tch=25℃

100

td(off)

td(on)

0.1

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

VSD [V]

ID [A]

1 2 345 6 7 8

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