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FMP60N099S2HF

更新时间： 2024-03-03 10:09:48

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富士电机 - FUJI		/
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FMP60N099S2HF 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FMP60N099S2HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Typical Capacitance

Typical C^ossstored energy

C=f(VDS) : VGS=0V, f=250kHz

100000

10000

1000

100

C^iss

Coss

Crss

0.1

100

1000

100

200

300

400

500

600

V^DS[V]

Typical Gate Charge Characteristics

Typical Switching Characteristics vs. I^DTch=25℃

t=f(I^D):Vdd=400V,VGS=10V/0V,RG=15Ω

V^GS=f(QG) : ID=29.2A, Tch=25℃

10000

1000

100

120V

400V

VDD=480V

td(oﬀ)

td(on)

0.1

100

Q^G[nC]

I^D[A]

Maximum Avalanche Energy vs. starting T^ch

E^(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V,I(AV)<=4.4A

Transient Thermal Impedance

Z^th(ch-c)=f(t):D=0

10¹

10⁰

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

I^AS=1.4A

10^-1

10^-2

10^-3

I^AS=2.7A

I^AS=4.4A

600

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

400

t [sec]

200

100

starting T^ch[℃]

150

1 2 3 456 7 8

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