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FMP60N099S2HF

更新时间： 2024-03-03 10:09:48

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富士电机 - FUJI		/
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FMP60N099S2HF 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FMP60N099S2HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Drain-Source On-state Resistance

Drain-Source Breakdown Voltage

RDS(on)=f(Tch):ID=14.6A,VGS=10V

BV^DSS=f(Tch):ID=10mA,VGS=0V

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

700

650

600

550

500

This curve is not a guaranteed performance and is a reference

max.

typ.

-60

-20

T^ch[℃]

Typical Transfer Characteristic

I^D=f(VGS) : 80μs pulse test, VDS=25V

100

140

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T^ch[℃]

Gate Threshold Voltage vs. T^ch

V^GS(th)=f(Tch) : VDS = VGS, ID=1.54mA

100

typ.

Tch=25℃

150℃

0.1

-60

-20

T^ch[℃]

100

140

VGS[V]

Typical Forward Characteristics of Reverse Diode

Typical Transconductance

gfs=f(I^D) : 80μs pulse test, VDS=25V

I^SD=f(VSD):80 μs pulse test

100

Tch=25℃

150℃

Tch=25℃

0.1

100

0.5

1.5

I^D[A]

V^SD[V]

1 2 345 6 7 8

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