是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.17 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 最大输入功率 (CW): | 22 dBm |
最大工作频率: | 27000 MHz | 最小工作频率: | 21000 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
射频/微波设备类型: | WIDE BAND MEDIUM POWER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FMM60-02TF | IXYS | Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET |
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FMM65-015P | IXYS | Trench Power MOSFET |
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FMM6G20US60 | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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FMM6G20US60S | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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FMM6G30US60 | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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FMM6G50US60 | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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