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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | COMPONENT | 最大输入功率 (CW)： | 22 dBm |
| 最大工作频率： | 27000 MHz | 最小工作频率： | 21000 MHz |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 射频/微波设备类型： | WIDE BAND MEDIUM POWER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FMM60-02TF | IXYS | Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET |
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| FMM65-015P | IXYS | Trench Power MOSFET |
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| FMM6G20US60 | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM6G20US60S | FAIRCHILD | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN |
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| FMM6G30US60 | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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| FMM6G50US60 | FAIRCHILD | Compact & Complex Module |
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