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FM5818-L PDF预览

FM5818-L

更新时间： 2024-09-15 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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FM5818-L 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.11其他特性：LOW POWER LOSS
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：30 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

FM5818-L 数据手册

 浏览型号FM5818-L的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
Formosa MS  
FM5817-L THRU FM5819-L  
Silicon epitaxial planer type  
Features  
SMA-L  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.205(5.2)  
0.189(4.8)  
0.012(0.3) Typ.  
For surface mounted applications.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.181(4.6)  
0.165(4.2)  
Low leakage current.  
0.075(1.9)  
0.067(1.7)  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
Mechanical data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by c athode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0015 ounce, 0.05 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.0  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.2  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
30  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
0.5  
10  
mA  
mA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 100 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RqJA  
CJ  
80  
C / w  
pF  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
130  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKING  
V
V
V
V
RRM  
RMS  
R
F
temperature  
SYMBOLS  
CODE  
o
( C)  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
(V)  
20  
(V)  
14  
(V)  
20  
(V)  
FM5817-L  
FM5818-L  
FM5819-L  
SK12  
SK13  
SK14  
0.45  
-55 to +125  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
30  
40  
21  
28  
30  
40  
0.55  
0.60  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM5818L-T RECTRON

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 		Rectifier Diode,
FM5818L-W RECTRON

获取价格

 		暂无描述
FM5818-W RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P
FM5818-W-S-NT-W RECTRON

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
FM5819 PACELEADER

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 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, P

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