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FM25VN05-GTR

更新时间： 2024-01-07 20:04:16

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储
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16页	532K
描述
512Kb Serial 3V F-RAM Memory

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FM25VN05-GTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.82
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm

FM25VN05-GTR 数据手册

FM25V05 - 512Kb SPI FRAM

Revision History

Revision

1.0

Date

8/29/2008

10/6/2009

Summary

Initial release.

1.1

Updated ESD ratings. Added tape and reel ordering information. Updated

lead temperature rating in Abs Max table. Expanded CRC check description.

Changed to Pre-Production status. Changed part marking scheme.

Removed S/N option.

2.0

2.1

3.0

5/25/2010

11/22/2011

1/30/2012

Changed to Production status.

Ordering Information

Part Number

Features

Operating

Voltage

Package

FM25V05-G

FM25VN05-G

FM25V05-GTR

Device ID

Device ID, S/N

Device ID

2.0-3.6V

8-pin “Green”/RoHS SOIC

in Tape & Reel

FM25VN05-GTR

Device ID, S/N

2.0-3.6V

8-pin “Green”/RoHS SOIC

in Tape & Reel

Rev. 3.0

Jan. 2012

Page 16 of 16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FM25VN10-G	RAMTRON	获取价格	1Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25VN10-G	INFINEON	获取价格	铁电存储器 (F-RAM)
FM25VN10-GTR	CYPRESS	获取价格	1Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25VN10-GTR	RAMTRON	获取价格	1Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25VN10-GTR	INFINEON	获取价格	铁电存储器 (F-RAM)
FM25W01	FM	获取价格	SPI NOR Flash
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