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FM25040B-GTR

更新时间： 2024-02-24 17:04:30
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 存储
页数 文件大小 规格书
13页 308K
描述
4Kb Serial 5V F-RAM Memory

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FM25040B-GTR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns其他特性：DATA RETENTION=10 YEARS; ENDURANCE=10 BILLION CYCLES
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：4.9 mm内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：512 words字数代码：512
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512X8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
最大待机电流：0.00001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.0025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

FM25040B-GTR 数据手册

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Preliminary  
FM25040B  
4Kb Serial 5V F-RAM Memory  
Features  
4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Sophisticated Write Protection Scheme  
•
•
Hardware Protection  
Software Protection  
•
•
•
•
•
Organized as 512 x 8 bits  
High Endurance 1 Trillion (1012) Read/Writes  
38 year Data Retention  
Low Power Consumption  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
•
•
250 µA Active Current (1 MHz)  
4 µA (typ.) Standby Current  
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
Industry Standard Configuration  
•
•
•
Up to 20 MHz maximum Bus Frequency  
Direct hardware replacement for EEPROM  
SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)  
•
•
Industrial Temperature -40° C to +85° C  
8-pin “Green”/RoHS SOIC (-G)  
Description  
Pin Configuration  
The FM25040B is a 4-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides reliable data retention for 38 years while  
eliminating the complexities, overhead, and system  
level reliability problems caused by EEPROM and  
other nonvolatile memories.  
1
8
7
6
5
CS  
SO  
WP  
VSS  
VDD  
HOLD  
SCK  
SI  
2
3
4
The FM25040B performs write operations at bus  
speed. No write delays are incurred. Data is written to  
the memory array immediately after it has been  
successfully transferred to the device. The next bus  
cycle may commence immediately without the need  
for data polling. The FM25040B is capable of  
supporting up to 1012 read/write cycles, or a million  
times more write cycles than EEPROM.  
Pin Names  
/CS  
Function  
Chip Select  
/WP  
Write Protect  
Hold  
Serial Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Supply Voltage 5V  
Ground  
/HOLD  
SCK  
SI  
SO  
VDD  
VSS  
These capabilities make the FM25040B ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection,  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss.  
Ordering Information  
FM25040B-G  
“Green” 8-pin SOIC  
The FM25040B provides substantial benefits to users  
FM25040B-GTR  
“Green” 8-pin SOIC,  
of serial EEPROM, in  
a
hardware drop-in  
Tape & Reel  
replacement. The FM25040B uses the high-speed  
SPI bus, which enhances the high-speed write  
capability of F-RAM technology. The specifications  
are guaranteed over an industrial temperature range  
of -40°C to +85°C.  
This is a product that has fixed target specifications but are subject  
to change pending characterization results.  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-F-RAM, (719) 481-7000  
www.ramtron.com  
Rev. 1.2  
Feb. 2011  
Page 1 of 13  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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