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FM25160-S PDF预览

FM25160-S

更新时间： 2024-02-22 06:04:33
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 642K
描述
16Kb FRAM Serial Memory

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FM25160-S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.68Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns其他特性：DATA RETENTION=10 YEARS; ENDURANCE=10 BILLION CYCLES
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
长度：4.9 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
最大待机电流：0.00001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.0025 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

FM25160-S 数据手册

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FM25160  
16Kb FRAM Serial Memory  
Features  
Sophisticated Write Protection Scheme  
16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
·
·
Hardware protection  
Software protection  
·
·
·
·
·
Organized as 2,048 x 8 bits  
High endurance 10 Billion (1010) read/writes  
10 year data retention at 85° C  
NoDelay™ write  
Low Power Consumption  
10 mA standby current  
·
Advanced high-reliability ferroelectric process  
Industry Standard Configuration  
Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
·
·
Industrial temperature -40° C to +85° C  
8-pin SOP or DIP  
·
·
·
Up to 2.1 MHz maximum bus frequency  
Direct hardware replacement for EEPROM  
Supports SPI Mode 0 (CPOL=0, CPHA=0)  
Description  
Pin Configuration  
The FM25160 is a 16-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or FRAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides reliable data retention for 10 years while  
eliminating the complexities, overhead, and system  
level reliability problems caused by EEPROM and  
other nonvolatile memories.  
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
CS  
SO  
WP  
Unlike serial EEPROMs, the FM25160 performs  
write operations at bus speed. No write delays are  
incurred. Data is written to the memory array mere  
hundreds of nanoseconds after it has been  
successfully transferred to the device. The next bus  
cycle may c7ommence immediately. In addition, the  
product offers substantial write endurance compared  
with other nonvolatile memories. The FM25160 is  
capable of supporting up to 1E10 read/write cycles --  
far more than most systems will require from a serial  
memory.  
VSS  
Pin Names  
/CS  
SO  
/WP  
VSS  
Function  
Chip Select  
Serial Data Output  
Write Protect  
Ground  
Serial Data Input  
Serial Clock  
Hold  
SI  
SCK  
/HOLD  
VCC  
These capabilities make the FM25160 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection,  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss.  
Supply Voltage 5V  
Ordering Information  
FM25160-P  
8-pin plastic DIP  
FM25160-S  
8-pin SOP  
The FM25160 provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM, in  
a
hardware drop-in  
replacement. The FM25160 uses the high-speed SPI  
bus, which enhances the high-speed write capability  
of FRAM technology. It is guaranteed over an  
industrial temperature range of -40°C to +85°C.  
This data sheet contains design specifications for product development.  
These specifications may change in any manner without notice  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000, Fax (719) 481-7058  
www.ramtron.com  
12 May 2000  
1/14  
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