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FM250C PDF预览

FM250C

更新时间： 2024-09-25 04:18:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
3页 34K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 60 Volts CURRENT 2.0 Ampere

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FM250C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13其他特性：METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FM250C 数据手册

 浏览型号FM250C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FM250C的Datasheet PDF文件第3页 
FM220C  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
FM260C  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 20 to 60 Volts CURRENT 2.0 Ampere  
FEATURES  
* Low switching noise  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High switching capability  
* High surge capabitity  
* High reliability  
DO-214AB  
MECHANICAL DATA  
(
)
0.125 3.17  
(
)
)
0.245 6.22  
* Case: Molded plastic  
(
)
0.115 2.92  
(
0.220 5.59  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
(
)
)
0.280 7.11  
(
0.260 6.60  
* Weight: 0.24 gram  
(
)
0.012 0.305  
(
)
0.006 0.152  
(
)
0.103 2.62  
(
)
0.079 2.06  
(
)
0.060 1.52  
(
)
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
0.030 0.76  
(
0.004 0.102  
(
)
)
0.320 8.13  
(
0.305 7.75  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
FM220C  
FM230C  
FM240C  
FM250C  
FM260C  
UNITS  
Volts  
Volts  
Volts  
V
V
RRM  
RMS  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
50  
35  
60  
42  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
DC  
O
40  
50  
60  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at Derating Lead Temperature  
I
2.0  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
50  
Amps  
0C/W  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
R θ J A  
40  
CJ  
J
130  
pF  
0 C  
T
-65 to + 125  
-65 to + 150  
Storage Temperature Range  
T
STG  
-65 to + 150  
0 C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
FM220C  
FM230C  
.55  
FM240C  
FM250C  
FM260C  
UNITS  
Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 2.0A DC  
.70  
V
F
Maximum Average Reverse Current  
@T  
A
A
= 25oC  
= 100oC  
1.0  
10  
mAmps  
mAmps  
I
R
at Rated DC Blocking Voltage  
@T  
NOTES : 1. Thermal Resistance (Junction to Ambient): Vertical PC Board Mounting, 0.5” (12.7mm) Lead Length.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
2002-6  
123

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与FM250C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM250-C FORMOSA

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 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM250L RECTRON

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 200 Volts CURRENT 2.0 Ampere
FM250-L FORMOSA

获取价格

 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
FM250-LN FORMOSA

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 		Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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 		Rectifier Diode,
FM250-M FORMOSA

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 		SILICON EPITAXIAL PLANCE TYPE
FM250-MH FORMOSA

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