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FM220-N

更新时间： 2024-02-16 12:33:17
品牌 Logo 应用领域
美丽微 - FORMOSA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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FM220-N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, METALLURGICALLY BONDED
应用：GENERAL PURPOSE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FM220-N 数据手册

 浏览型号FM220-N的Datasheet PDF文件第2页 
Chip Schottky Barrier Diodes  
Formosa MS  
FM220-N THRU FM2100-N  
Silicon epitaxial planer type  
SMA-N  
Features  
0.185(4.8)  
0.173(4.4)  
0.012(0.3) Typ.  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame  
RetardantEpoxy Molding Compound.  
0.110(2.8)  
0.094(2.4)  
For surface mounted applications.  
0.165(4.2)  
0.150(3.8)  
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 /  
228  
0.067(1.7)  
0.060(1.5)  
Low leakage current.  
0.040(1.0) Typ.  
0.040 (1.0) Typ.  
0.067(1.7)  
0.053(1.3)  
Mechanical data  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Case : Molded plastic, JEDECDO-214AC  
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity : Indicated by c athode band  
Mounting Position : Any  
Weight : 0.0017 ounce, 0.057 gram  
o
MAXIMUM RATINGS (AT TA=25 C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
Symbol  
IO  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
2.0  
UNIT  
A
Forward rectified current  
See Fig.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC methode)  
Forward surge current  
IFSM  
50  
A
o
VR = VRRM TA = 25 C  
0.5  
10  
mA  
mA  
Reverse current  
IR  
o
VR = VRRM TA = 125 C  
o
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RqJA  
CJ  
75  
C / w  
pF  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage  
160  
o
TSTG  
-55  
+150  
C
Operating  
*1  
*2  
*3  
*4  
MARKING  
VRRM  
VRMS  
VR  
VF  
temperature  
SYMBOLS  
CODE  
o
( C)  
(V)  
(V)  
(V)  
(V)  
FM220-N  
FM230-N  
FM240-N  
FM250-N  
FM260-N  
FM280-N  
FM2100-N  
SK22  
SK23  
SK24  
SK25  
SK26  
SK28  
S210  
20  
30  
40  
50  
60  
80  
14  
21  
28  
35  
42  
56  
70  
20  
30  
40  
50  
60  
80  
100  
0.50  
-55 to +125  
*1 Repetitive peak reverse voltage  
*2 RMS voltage  
0.70  
-55 to +150  
*3 Continuous reverse voltage  
*4 Maximum forward voltage  
0.85  
100  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM220-S FRONTIER

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 		暂无描述
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 		4Mbit FRAM Memory
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 		Memory Circuit, 256KX16, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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