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FM22L16-55-TGTR PDF预览

FM22L16-55-TGTR

更新时间： 2024-09-30 21:01:31
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 397K
描述
Memory Circuit, 256KX16, CMOS, PDSO44, GREEN, MS-024AC, TSOP2-44

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FM22L16-55-TGTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.67JESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e3长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

FM22L16-55-TGTR 数据手册

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FM22L16  
4Mbit Asynchronous F-RAM Memory  
Features  
Superior to Battery-backed SRAM Modules  
4Mbit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
•
•
•
•
No Battery Concerns  
•
•
•
•
•
•
Organized as 256Kx16  
Monolithic Reliability  
True Surface Mount Solution, No Rework Steps  
Superior for Moisture, Shock, and Vibration  
Configurable as 512Kx8 Using /UB, /LB  
1014 Read/Write Cycles  
NoDelay™ Writes  
Page Mode Operation to 40MHz  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Low Power Operation  
•
•
•
2.7V – 3.6V Power Supply  
Low Current Mode (5µA) using ZZ pin  
Low Active Current (8 mA typ.)  
SRAM Compatible  
•
•
JEDEC 256Kx16 SRAM Pinout  
55 ns Access Time, 110 ns Cycle Time  
Industry Standard Configuration  
•
•
Industrial Temperature -40° C to +85° C  
44-pin “Green”/RoHS TSOP-II package  
Advanced Features  
Software Programmable Block Write Protect  
•
The device is available in a 400 mil 44-pin TSOP-II  
surface mount package. Device specifications are  
guaranteed over industrial temperature range –40°C  
to +85°C.  
Description  
The FM22L16 is a 256Kx16 nonvolatile memory that  
reads and writes like  
a standard SRAM. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile, which means that data is retained after  
power is removed. It provides data retention for over  
10 years while eliminating the reliability concerns,  
functional disadvantages, and system design  
complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM).  
Fast write timing and high write endurance make the  
F-RAM superior to other types of memory.  
Pin Configuration  
A5  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A3  
1
2
A6  
A7  
A2  
3
OE  
A1  
4
UB  
A0  
5
LB  
CE  
6
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
VSS  
VDD  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
/ZZ  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VDD  
VSS  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
WE  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
In-system operation of the FM22L16 is very similar  
to other RAM devices and can be used as a drop-in  
replacement for standard SRAM. Read and write  
cycles may be triggered by /CE or simply by  
changing the address. The F-RAM memory is  
nonvolatile due to its unique ferroelectric memory  
process. These features make the FM22L16 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes in the form of an SRAM.  
A17  
A16  
A15  
A14  
A13  
A8  
A9  
A10  
A11  
A12  
The FM22L16 includes a low voltage monitor that  
blocks access to the memory array when VDD drops  
below VDD min. The memory is protected against an  
inadvertent access and data corruption under this  
condition. The device also features software-  
controlled write protection. The memory array is  
divided into 8 uniform blocks, each of which can be  
individually write protected.  
Ordering Information  
FM22L16-55-TG  
55 ns access, 44-pin  
“Green”/RoHS TSOP-II  
FM22L16-55-TGTR 55 ns access, 44-pin  
“Green”/RoHS TSOP-II,  
Tape & Reel  
This product conforms specifications per the terms of the Ramtron  
standard warranty. The product has completed Ramtron’s internal  
qualification testing and has reached production status.  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000  
http://www.ramtron.com  
Rev. 3.0  
May 2010  
Page 1 of 14  
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与FM22L16-55-TGTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM22LD16 RAMTRON

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 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16_09 RAMTRON

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 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16_13 CYPRESS

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FM22LD16-55-BG RAMTRON

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 		4Mbit F-RAM Memory
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FM22LD16-55-BG INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM22LD16-55-BGTR CYPRESS

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 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16-55-BGTR INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM230 FORMOSA

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 		Silicon epitaxial planer type
FM230 RECTRON

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 20 to 100 Volts CURRENT 2.0 Ampere

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