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FM22L16-55-TGTR PDF预览

FM22L16-55-TGTR

更新时间： 2024-11-20 14:50:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 291K
描述
Memory Circuit, 256KX16, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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FM22L16-55-TGTR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TSSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.13Is Samacsys：N
最长访问时间：110 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e4长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：16混合内存类型：N/A
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00027 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.012 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

FM22L16-55-TGTR 数据手册

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FM22L16  
4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory  
4-Mbit (256K  
× 16) F-RAM Memory  
■ 44-pin thin small outline package (TSOP) Type II  
Features  
■ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant  
■ 4-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically  
organized as 256K × 16  
❐ Configurable as 512K × 8 using UB and LB  
❐ High-endurance 100 trillion (1014) read/writes  
❐ 151-year data retention (see the Data Retention and  
Endurance table)  
❐ NoDelay™ writes  
❐ Page mode operation to 25-ns cycle time  
❐ Advanced high-reliability ferroelectric process  
Functional Description  
The FM22L16 is a 256K × 16 nonvolatile memory that reads and  
writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random  
access memory or F-RAM is nonvolatile, which means that data  
is retained after power is removed. It provides data retention for  
over 151 years while eliminating the reliability concerns,  
functional disadvantages, and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high  
write endurance make the F-RAM superior to other types of  
memory.  
■ SRAM compatible  
❐ Industry-standard 256K × 16 SRAM pinout  
❐ 55-ns access time, 110-ns cycle time  
The FM22L16 operation is similar to that of other RAM devices  
and therefore, it can be used as a drop-in replacement for a  
standard SRAM in a system. Read and write cycles may be  
triggered by CE or simply by changing the address. The F-RAM  
memory is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory  
process. These features make the FM22L16 ideal for nonvolatile  
memory applications requiring frequent or rapid writes.  
■ Advanced features  
❐ Software-programmable block write-protect  
■ Superior to battery-backed SRAM modules  
❐ No battery concerns  
❐ Monolithic reliability  
❐ True surface mount solution, no rework steps  
❐ Superior for moisture, shock, and vibration  
The FM22L16 includes a low voltage monitor that blocks access  
to the memory array when VDD drops below VDD min. The  
memory is protected against an inadvertent access and data  
corruption under this condition. The device also features  
software-controlled write protection. The memory array is  
divided into 8 uniform blocks, each of which can be individually  
write protected.  
■ Low power consumption  
❐ Active current 8 mA (typ)  
❐ Standby current 90 A (typ)  
❐ Sleep mode current 5 A (max)  
■ Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V  
■ Industrial temperature: –40 C to +85 C  
The device is available in a 400-mil, 44-pin TSOP-II surface  
mount package. Device specifications are guaranteed over the  
industrial temperature range –40 °C to +85 °C.  
For a complete list of related documentation, click here.  
Logic Block Diagram  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
32 K x 16 block  
A
17-2  
A
17-0  
A
1-0  
. . .  
CE  
Column Decoder  
WE  
DQ  
15-0  
Control  
UB, LB  
I/O Latch & Bus Driver  
Logic  
OE  
ZZ  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-86188 Rev. *F  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised April 27, 2017  
 
1234567...22

中文翻译

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FM22L16-55-TGTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM22L16-55-TG CYPRESS

类似代替

 Memory Circuit, 256KX16, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

与FM22L16-55-TGTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM22LD16 RAMTRON

获取价格

 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16_09 RAMTRON

获取价格

 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16_13 CYPRESS

获取价格

 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16-55-BG RAMTRON

获取价格

 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16-55-BG CYPRESS

获取价格

 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16-55-BG INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM22LD16-55-BGTR CYPRESS

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 		4Mbit F-RAM Memory
FM22LD16-55-BGTR INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM230 FORMOSA

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 		Silicon epitaxial planer type
FM230 RECTRON

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 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 20 to 100 Volts CURRENT 2.0 Ampere

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