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FM16W08-SG PDF预览

FM16W08-SG

更新时间： 2024-10-30 12:29:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
12页 327K
描述
64Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM

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FM16W08-SG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP28,.4
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：1.03Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：938986
Samacsys Pin Count：28Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：Small Outline PackagesSamacsys Footprint Name：28 pin SOIC S21
Samacsys Released Date：2020-01-26 07:21:27Is Samacsys：N
最长访问时间：80 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：17.9 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8混合内存类型：N/A
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.012 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

FM16W08-SG 数据手册

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Pre-Production  
FM16W08  
64Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM  
Features  
SRAM & EEPROM Compatible  
JEDEC 8Kx8 SRAM & EEPROM pinout  
70 ns Access Time  
64Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Organized as 8,192 x 8 bits  
High Endurance 100 Trillion (1014) Read/Writes  
38 year Data Retention (@ +75C)  
NoDelay™ Writes  
130 ns Cycle Time  
Low Power Operation  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Wide Voltage Operation 2.7V to 5.5V  
12 mA Active Current  
20 A (typ.) Standby Current  
Superior to BBSRAM Modules  
No Battery Concerns  
Monolithic Reliability  
Industry Standard Configuration  
Industrial Temperature -40 C to +85 C  
28-pin “Green”/RoHS SOIC Package  
True Surface Mount Solution, No Rework Steps  
Superior for Moisture, Shock, and Vibration  
Resistant to Negative Voltage Undershoots  
Description  
Pin Configuration  
The FM16W08 is a 64-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides data retention for 38 years while  
eliminating the reliability concerns, functional  
disadvantages and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing  
and high write endurance make F-RAM superior to  
other types of nonvolatile memory.  
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NC  
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A7  
VDD  
WE  
NC  
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A8  
5
A5  
A9  
6
A4  
A11  
OE  
7
A3  
8
A2  
A10  
CE  
In-system operation of the FM16W08 is very similar  
to other RAM devices. Minimum read- and write-  
cycle times are equal. The F-RAM memory, however,  
is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory  
process. Unlike BBSRAM, the FM16W08 is a truly  
monolithic nonvolatile memory. It provides the same  
functional benefits of a fast write without the  
disadvantages associated with modules and batteries  
or hybrid memory solutions.  
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A0  
DQ7  
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DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
Ordering Information  
FM16W08-SG 28-pin “Green” SOIC  
These capabilities make the FM16W08 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes in a bytewide environment. The  
availability of a true surface-mount package improves  
the manufacturability of new designs. Device  
specifications are guaranteed over an industrial  
temperature range of -40°C to +85°C.  
This is a product in the pre-production phase of development. Device characterization is complete and Ramtron does not expect to  
change the specifications. Ramtron will issue a Product Change Notice if any specification changes are made.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-86210 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 25, 2013  
1234567...12

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FM16W08-SG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM18W08-SG CYPRESS

完全替代

 256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM
FM16W08-SGTR CYPRESS

类似代替

 Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28, ROHS COMPLIANT, SOIC-28
FM1808B-SG CYPRESS

类似代替

 256Kb Bytewide 5V F-RAM Memory

与FM16W08-SG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM16W08-SGTR CYPRESS

获取价格

 		Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28, ROHS COMPLIANT, SOIC-28
FM16W08-SGTR INFINEON

获取价格

 		铁电存储器 (F-RAM)
FM1702SL ETC

获取价格

 		通用读卡机芯片
FM175 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 16A I(C) | SOT-119VAR
FM17550 FM

获取价格

 		智能识别设备
FM17580 FM

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 		智能识别设备
FM17610 FM

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 		智能识别设备
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 		智能识别设备
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 		D Type Connector,
FM17W2P100982 MOLEX

获取价格

 		D Type Connector,

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