FKP280A

更新时间： 2024-11-23 06:59:23

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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N-Channel MOS FET

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FKP280A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FM100, TO-3PF, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	280 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FKP280A 数据手册

N-Channel MOS FET

FKP280A

September, 2005

■Package---FM100(TO3P Full Mold)

■Features

●Low on-resistance

●Low input capacitance

●Avalanche energy capability guaranteed

■Applications

●PDP driving

●High speed switching

■Equivalent circuit

Ｄ(2)

Ｇ(1)

Ｓ(3)

■Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Unit

Parameter

Symbol

VDSS

VGSS

Rating

280

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Ｖ

±30

±40A

Ａ

ID(pulse) ^*1

±160A

85 (Tc=25°C)

400

Ａ

Maximum Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Ｗ

ｍＪ

Ａ

EAS ^*2

IAS

Channel Temperature

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

-55 to +150

*1. PW ≤ 100 μsec, duty cycle ≤ 1%

*2. VDD=20V, L=460μH, ILp=40A, unclamped, RG=50Ω, See Fig.1

Sanken Electric Co.,Ltd.

http://www.sanken-ele.co.jp/en/

T02-001EA-050912

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