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FKPF10N80

更新时间： 2024-11-22 22:07:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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描述
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FKPF10N80 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.82
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us关态电压最小值的临界上升速率：300 V/us
最大直流栅极触发电流：30 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：50 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.02 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-45 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：10 A断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

FKPF10N80 数据手册

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FKPF10N80  
Application Explanation  
•
•
•
•
Switching mode power supply, light dimmer, electric flasher unit, hair drier  
TV sets, stereo, refrigerator, washing machine  
Electric blanket, solenoid driver, small motor control  
Photo copier, electric tool  
2
1
1: T1  
2: T2  
3: Gate  
3
TO-220F  
1
2 3  
Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
(Note1 )  
V
Repetitive Peak Off-State Voltage  
800  
V
DRM  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Rating  
Units  
I
RMS On-State Current  
Commercial frequency, sine full wave 360°  
10  
A
T (RMS)  
conduction, T =86°C  
C
I
Surge On-State Current  
Sinewave 1 full cycle, peak value,  
50Hz  
60Hz  
100  
110  
50  
A
A
A s  
TSM  
2
non-repetitive  
2
2
I t  
I t for Fusing  
Value corresponding to 1 cycle of halfwave,  
surge on-state current, tp=10ms  
di/dt  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Voltage  
I
= 2x I , tr ≤ 100ns  
50  
5
0.5  
A/µs  
W
W
V
G
GT  
P
P
V
GM  
G (AV)  
GM  
10  
I
Peak Gate Current  
2
A
GM  
T
T
V
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
- 40 ~ 125  
- 40 ~ 125  
1500  
°C  
°C  
V
J
STG  
Ta=25°C, AC 1 minute, T T G terminal to  
1 2  
case  
iso  
Thermal Characteristic  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
(Note 4)  
R
Thermal Resistance  
Junction to case  
-
-
3.4  
°C/W  
th(J-C)  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, April 2004  
1234567

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