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FFH50US60S-F085

更新时间： 2024-09-10 11:15:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 软恢复二极管局域网软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
6页 4503K
描述
600V，50A，1.69V，TO-247（2 引线）Stealth™ 整流器

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FFH50US60S-F085 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：2.12
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON NITRIDE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.69 V
JEDEC-95代码：TO-247ABJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：50 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：100 µA最大反向恢复时间：0.082 µs
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FFH50US60S-F085 数据手册

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STEALTHt Diode  
50 A, 600 V  
FFH50US60S-F085  
Description  
The FFH50US60S−F085 is a STEALTHt diode optimized for low  
loss performance in output rectification. The STEALTH family  
www.onsemi.com  
exhibits low reverse recovery current(I ),low V and soft recovery  
RR  
F
under typical operating conditions. It has a low forward−voltage drop  
and is of silicon nitride passivated.  
This device is intended for use as a freewheel/clamping diode  
in various automotive switching power supplies and other power  
switching applications. Its low stored charge as well as Stealth and soft  
recovery characteristics minimize ringing and electrical noise while  
reduce the overall power loss.  
ANODE  
CATHODE  
TO−247−2L  
Features  
• Stealth Recovery, t = 163 ns ( Typ.) @ I = 50 A)  
rr  
F
• Low Forward Voltage( V = 1.69 V (Max.) @ I = 50 A )  
F
F
• Avalanche Energy Rated  
• AEC−Q101 Qualified  
• This Device is Pb−Free  
MARKING DIAGRAM  
Applications  
$Y&Z&3&K  
50US60S  
• Automotive DCDC Converter  
• Automotive On Board Charger  
• Switching Power Supply  
• Power Switching Circuits  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
600  
600  
600  
50  
Unit  
V
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
RRM  
RWM  
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
V
I
V
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
V
R
V
Average Rectified Forward Current  
A
50US60S  
= Specific Device Code  
F(AV)  
(T = 25 °C)  
C
Non−repetitive Peak Surge Current  
I
150  
20  
A
FSM  
(Halfwave 1 Phase 50 Hz)  
Avalanche Energy  
(1 A, 40 mH)  
E
mJ  
°C  
AVL  
1. Cathode  
2. Anode  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T
T
−55 to  
+175  
J, STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
March, 2020 − Rev. 4  
FFH50US60S−F085/D  
123456

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