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FFB5551

更新时间： 2024-09-15 22:31:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
5页 113K
描述
Dual-Chip NPN General Purpose Amplifier

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FFB5551 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FFB5551 数据手册

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FFB5551  
E2  
B2  
Dual-Chip NPN General Purpose Amplifier  
•
•
This device is deisgned for general purpose high voltage amplifiers.  
E1 is Pin 1.  
C1  
C2  
B1  
E1  
SC70-6  
Mark: .P1  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
160  
180  
6.0  
200  
- 55 ~ 150  
Units  
V
V
V
mA  
°C  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
CBO  
EBO  
I
- Continuous  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base BreakdownVoltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
V
V
= 1.0mA, I = 0  
160  
180  
6.0  
V
V
V
nA  
µA  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
C
I
= 120V, I = 0  
50  
50  
CB  
CB  
E
= 120V, I = 0, T = 100°C  
E
A
I
Emitter Cut-off Current  
V
= 4.0V, I = 0  
50  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
V
V
= 5.0V, I = 1.0mA  
80  
80  
30  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5.0V, I = 10mA  
250  
C
= 5.0V, I = 50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
= 10mA, I = 1.0mA  
0.15  
0.20  
1.0  
1.0  
V
V
CE  
C
C
B
I
= 50mA, I = 5.0mA  
B
I
I
= 10mA, I = 1.0mA  
BE  
C
C
B
= 50mA, I = 5.0mA  
B
Small Signal Characteristics  
f
Current gain Bandwidth Product  
V
= 10V, I = 10mA  
100  
300  
6.0  
MHz  
pF  
T
CE  
C
f = 100MHz  
V = 10V, I = 0, f = 1.0MHz  
CB  
C
Output Capacitance  
obo  
E
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
12345

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FFB5551 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMDT5551-7-F DIODES

类似代替

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