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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 11 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 50 weeks | 风险等级： | 2.14 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1300 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 370 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF900R12IP4D | INFINEON |
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PrimePACK?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC |
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| FF900R12IP4DBOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF900R12IP4DBOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF900R12IP4DV | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF900R12IP4P | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF900R12IP4V | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF900R12ME7_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF900R12ME7P_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF900R12ME7W_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF900R17ME7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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