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FF900R12ME7_B11

更新时间: 2024-11-20 21:18:35
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英飞凌 - INFINEON
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11页 754K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

FF900R12ME7_B11 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownBase Number Matches:1

FF900R12ME7_B11 数据手册

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FF900R12ME7_B11  
EconoDUAL™3ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀNTC  
EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀNTC  
VCES = 1200V  
IC nom = 900A / ICRM = 1800A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Hybrid-Nutzfahrzeuge  
• Motorantriebe  
PotentialꢀApplications  
• Highꢀpowerꢀconverters  
• CommercialꢀAgricultureꢀVehicles  
• Motorꢀdrives  
• Servoumrichter  
• Servoꢀdrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀsystems  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• IntegrierterꢀTemperatursensor  
• TrenchstopTMꢀIGBT7  
• Integratedꢀtemperatureꢀsensor  
• TrenchstopTMꢀIGBT7  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• IsolierteꢀBodenplatte  
MechanicalꢀFeatures  
• Highꢀpowerꢀdensity  
• Isolatedꢀbaseꢀplate  
• PressFITꢀVerbindungstechnik  
• Standardgehäuse  
• PressFITꢀcontactꢀtechnology  
• Standardꢀhousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.0  
www.infineon.com  
2019-12-20  

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