5秒后页面跳转
FF900R12IP4DBOSA2 PDF预览

FF900R12IP4DBOSA2

更新时间: 2024-11-07 15:44:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1671K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11

FF900R12IP4DBOSA2 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数:11
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:50 weeks风险等级:5.59
外壳连接:ISOLATED集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1300 ns
标称接通时间 (ton):370 nsBase Number Matches:1

FF900R12IP4DBOSA2 数据手册

 浏览型号FF900R12IP4DBOSA2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FF900R12IP4DBOSA2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FF900R12IP4DBOSA2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FF900R12IP4DBOSA2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FF900R12IP4DBOSA2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FF900R12IP4DBOSA2的Datasheet PDF文件第7页 
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF900R12IP4D  
PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4,ꢀgrößererꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀNTC  
PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4,ꢀenlargedꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀNTC  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1200V  
IC nom = 900A / ICRM = 1800A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
• Traktionsumrichter  
• USV-Systeme  
• TractionꢀDrives  
• UPSꢀSystems  
• Windgeneratoren  
• WindꢀTurbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• GroßeꢀDC-Festigkeit  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• HighꢀDCꢀStability  
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender  
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
Kurzschlussstrom  
CircuitꢀCurrent  
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit  
• UnbeatableꢀRobustness  
• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• EnlargedꢀDiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
• LowꢀVCEsat  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability  
• HighꢀPowerꢀDensity  
• SubstratꢀfürꢀkleinenꢀthermischenꢀWiderstand  
• SubstrateꢀforꢀLowꢀThermalꢀResistance  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀAC  
approvedꢀby:ꢀMS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.4  
1

与FF900R12IP4DBOSA2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF900R12IP4DV INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor
FF900R12IP4P INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF900R12IP4V INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor
FF900R12ME7_B11 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF900R12ME7P_B11 INFINEON

获取价格

PressFIT
FF900R12ME7W_B11 INFINEON

获取价格

PressFIT
FF900R17ME7_B11 INFINEON

获取价格

PressFIT
FF90R17KF ETC

获取价格

TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.7KV V(BR)CES | 90A I(C) | M:HL093HW048
FFA SHIELD

获取价格

MAGNETIC SWITCHES
FFA.00.010.CZZN22 ETC

获取价格

CONN INSERT SHELL PLUG CABLE