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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1300 ns | 标称接通时间 (ton)： | 370 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF900R12IP4DBOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF900R12IP4DV | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| FF900R12IP4P | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF900R12IP4V | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| FF900R12ME7_B11 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF900R12ME7P_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF900R12ME7W_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF900R17ME7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF90R17KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.7KV V(BR)CES | 90A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FFA | SHIELD |
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MAGNETIC SWITCHES |
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