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FF400R06ME3 PDF预览

FF400R06ME3

更新时间： 2024-01-31 03:48:02
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 500A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10

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FF400R06ME3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-10针数：10
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.63外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：500 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X10
元件数量：2端子数量：10
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：230 nsBase Number Matches：1

FF400R06ME3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF400R06ME3  
EconoDUAL™ 2 Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode  
EconoDUAL™ 2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
600  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 65°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
400  
500  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
800  
1250  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
I† = 400 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,45 1,90  
1,60  
1,70  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 6,40 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
4,9  
5,8  
4,30  
1,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
26,0  
0,76  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,12  
0,14  
0,15  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,06  
0,075  
0,08  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,49  
0,52  
0,53  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 400 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,06  
0,075  
0,08  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 4500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
3,00  
4,00  
4,50  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 1,5 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 400 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
14,0  
17,0  
18,0  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 1,5 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C  
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C  
2800  
2000  
A
A
I»†  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,12 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
0,062  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
approved by: Roland Ott  
date of publication: 2009-01-14  
revision: 2.1  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF400R07A01E3_S6 INFINEON

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 		Double Side Cooled
FF400R07KE4 INFINEON

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 		62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FF400R12KE3 INFINEON

获取价格

 		62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF400R12KE3 EUPEC

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 		IGBT-inverter
FF400R12KE3_B2 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 580A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF400R12KF1 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114
FF400R12KF4 EUPEC

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 		IGBT-Modules
FF400R12KF4NOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
FF400R12KT3 INFINEON

获取价格

 		暂无描述
FF400R12KT3_E INFINEON

获取价格

 		62mm C-series module with common emitter

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