FESB8CT

更新时间： 2024-01-01 14:11:14

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威世 - VISHAY		整流二极管瞄准线功效
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

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FESB8CT 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.5 V	最大非重复峰值正向电流：	125 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	8 A	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

FESB8CT 数据手册

NEW PRODUCT

FESB8AT THRU FESB8JT

FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

Reverse Voltage - 50 to 600 Volts

Forward Current - 8.0 Amperes

TO-263AB

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

♦ Glass passivated chip junction

♦ Low leakage, high voltage

0.160 (4.06)

0.190 (4.83)

0.380 (9.65)

0.420 (10.67)

0.045 (1.14)

0.055 (1.40)

0.245 (6.22)

MIN

♦ High surge current capability

♦ Superfast recovery time, for high efficiency

♦ High temperature soldering in accordance with

CECC 802 / Reflow guaranteed

0.047 (1.19)

0.320 (8.13)

0.360 (9.14)

0.055 (1.40)

0.575 (14.60)

0.625 (15.88)

SEATING

PLATE

0.090 (2.29)

-T-

0.110 (2.79)

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC TO-263AB molded plastic body

Terminals: Plated lead solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0.018 (0.46)

0.025 (0.64)

0.095 (2.41)

0.100 (2.54)

0.080 (2.03)

0.110 (2.79)

0.027 (0.686)

0.037 (0.940)

Polarity: As marked

Mounting Position: Any

Weight: 0.08 ounce, 2.24 grams

PIN 1

PIN 2

K - HEATSINK

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

FESB FESB FESB FESB FESB

FESB FESB FESB

8GT 8HT 8JT UNITS

SYMBOLS

V_RRM

V_RMS

V_DC

8AT

8BT

8CT

8DT

8FT

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

100 150

70 105

200 300 400

140 210 280

200 300 400

500 600 Volts

350 420 Volts

500 600 Volts

Maximum DC blocking voltage

100 150

Maximum average forward rectified current

at T_C=100°C

I_(AV)

8.0

Amps

Peak forward surge current

8.3ms single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

I_FSM

125.0

Maximum instantaneous forward voltage at 8.0A

V_F

I_R

0.95

35.0

1.3

1.5

Volts

Maximum DC reverse current

T_C=25°C

10.0

500.0

µA

at rated DC blocking voltage at T_C=100°C

Maximum reverse recovery time _{(NOTE 1)}

t_rr

50.0

Typical junction capacitance _{(NOTE 2)}

C_J

85.0

3.0

50.0

°C/W

°C

Typical thermal resistance _{(NOTE 3)}

R_ΘJC

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-65 to +150

NOTES:

(1) Reverse recovery test conditions: I_F=0.5A, I_R=1.0A, I_rr=0.25A

(2) Measured at 1.0 MH_Zand applied reverse voltage of 4.0 Volts

(3) Thermal resistance from junction to case mounted on heatsink

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FESB8CT/45	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 150V V(RRM)
FESB8CT-E3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8CT-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263,
FESB8CTHE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8CT-HE3/45	VISHAY	获取价格	DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8CT-HE3/81	VISHAY	获取价格	DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8CTN-G	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, T
FESB8DT	VISHAY	获取价格	FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
FESB8DT/31	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM)
FESB8DT/45	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM)

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