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FESB8CT/45 PDF预览

FESB8CT/45

更新时间： 2024-02-16 19:49:57
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 150V V(RRM)

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FESB8CT/45 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.51配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：8 A
最大重复峰值反向电压：150 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
Base Number Matches：1

FESB8CT/45 数据手册

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FES8JT, FESF8JT, FESB8JT Series  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Ultrafast Plastic Rectifiers  
Reverse Voltage 50 to 600V  
Forward Current 8.0 A  
Reverse Recovery Time 35 to 50ns  
ITO-220AC (FESF8JT)  
0.188 (4.77)  
0.172 (4.36)  
0.405 (10.27)  
0.383 (9.72)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
TO-220AC (FES8JT)  
0.131 (3.39)  
0.122 (3.08)  
0.140 (3.56)  
0.130 (3.30)  
DIA.  
DIA.  
0.415 (10.54) MAX.  
0.185 (4.70)  
0.175 (4.44)  
0.154 (3.91)  
0.148 (3.74)  
0.676 (17.2)  
0.646 (16.4)  
DIA.  
0.600 (15.5)  
0.580 (14.5)  
0.370 (9.40)  
0.360 (9.14)  
0.055 (1.39)  
0.045 (1.14)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.113 (2.87)  
0.103 (2.62)  
PIN  
0.145 (3.68)  
0.135 (3.43)  
1
2
0.191 (4.85)  
0.171 (4.35)  
0.603 (15.32)  
0.573 (14.55)  
0.410 (10.41)  
0.390 (9.91)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.635 (16.13)  
0.625 (15.87)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
0.060 (1.52)  
PIN 1  
PIN  
1
2
1.148 (29.16)  
1.118 (28.40)  
0.160 (4.06)  
0.140 (3.56)  
PIN 2  
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.69)  
0.022 (0.55)  
0.014 (0.36)  
0.560 (14.22)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
PIN 1  
PIN 2  
0.530 (13.46)  
CASE  
0.105 (2.67)  
TO-263AB (FESB8JT)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.68)  
0.095 (2.41)  
0.022 (0.56)  
0.014 (0.36)  
0.190 (4.83)  
0.160 (4.06)  
0.411 (10.45)  
0.380 (9.65)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
0.245 (6.22)  
MIN  
Mounting Pad Layout TO-263AB  
K
0.42  
(10.66)  
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
0.360 (9.14)  
0.320 (8.13)  
0.624 (15.85)  
0.591 (15.00)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.33  
(8.38)  
K
1
2
0-0.01 (0-0.254)  
0.63  
(17.02)  
0.110 (2.79)  
0.090 (2.29)  
0.027 (0.686)  
0.037 (0.940)  
0.021 (0.53)  
0.014 (0.36)  
PIN 1  
PIN 2  
K - HEATSINK  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.08  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
(2.032)  
0.12  
(3.05)  
0.24  
(6.096)  
Mechanical Data  
Features  
Case: JEDEC TO-220AC, ITO-220AC & TO-263AB  
molded plastic body  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
• Glass passivated chip junction  
• Low leakage, high voltage  
Terminals: Plated leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
• High surge current capability  
250°C, 0.16” (4.06mm) from case for 10 seconds  
• Superfast recovery time, for high efficiency  
Polarity: As marked Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Weight: 0.08 oz., 2.24 g  
Document Number 88600  
02-Apr-03  
www.vishay.com  
1
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与FESB8CT/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FESB8CT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8CT-GT3 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263,
FESB8CTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
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FESB8DT VISHAY

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 		FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
FESB8DT/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM)
FESB8DT/45 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM)
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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, P

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