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FESB8DT-E3/31

更新时间： 2024-09-28 14:25:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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FESB8DT-E3/31 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FESB8DT-E3/31 数据手册

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FES(F,B)8AT thru FES(F,B)8JT  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
TO-220AC  
ITO-220AC  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• Low leakage current  
2
• High forward surge capability  
2
1
1
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C, LF max peak  
of 245 °C (for TO-263AB package)  
FES8xT  
PIN 1  
FESF8xT  
PIN 1  
CASE  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds (for TO-220AC &  
ITO-220AC package)  
PIN 2  
PIN 2  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
2
TYPICAL APPLICATIONS  
1
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, inverters, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters, and other power switching  
application.  
FESB8xT  
PIN 1  
K
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AC, ITO-220AC, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
8.0 A  
50 V to 600 V  
125 A  
35 ns, 50 ns  
0.95 V, 1.30 V, 1.50 V  
150 °C  
VF  
Polarity: As marked  
Tj max.  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
FES  
8AT  
FES  
8BT  
FES  
8CT  
FES  
8DT  
FES  
8FT  
FES  
8GT  
FES  
8HT  
FES  
8JT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
Maximum average forward rectified current  
at TC = 100 °C  
IF(AV)  
8.0  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
TJ, TSTG  
VAC  
200  
125  
A
°C  
V
Operating storage and temperature range  
- 55 to + 150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AC only)  
From terminal to heatsink t =1 minute  
Document Number 88600  
27-Jun-06  
www.vishay.com  
1
12345

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与FESB8DT-E3/31相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FESB8DT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
FESB8DT-E3/81 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
FESB8DT-G SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, T
FESB8DT-GT3 SENSITRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263,
FESB8DTHE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8DT-HE3/45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8DTHE3/81 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8DT-HE3/81 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
FESB8DTN SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263,
FESB8FT VISHAY

获取价格

 		FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

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