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FERD30H100SB-TR

更新时间： 2024-11-22 01:08:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		功效二极管
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14页	474K
描述
100 V field-effect rectifier diode

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FERD30H100SB-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	10 weeks 5 days	风险等级：	1.67
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.62 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	130 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FERD30H100SB-TR 数据手册

FERD30H100S

100 V field-effect rectifier diode

Datasheet - production data

Description

The device is based on a proprietary technology

that achieves the best in class V_F/I_Rtrade-off for a

given silicon surface. This 100 V rectifier has

been optimized for use in confined applications

where both efficiency and thermal performance

are key. With a lower dependency of leakage

current (I_R) and forward voltage (V_F) in function of

temperature, the thermal runaway risk is reduced.

It is highly recommended to be used in adapters

and chargers.

TO-220AB

IPAK

DPAK

Table 1: Device summary

Symbol

I_F(AV)

Value

30 A

Features

V_RRM

100 V



ST advanced rectifier process

V_F(max.)

I_R(max.)

T_j(max.)

0.405 V

130 µA

175 °C

Stable leakage current over reverse voltage

Reduced leakage current

Low forward voltage drop

High frequency operation

April 2016

DocID029159 Rev 1

1/14

www.st.com

This is information on a product in full production.

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