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FERD40H100STS

更新时间： 2024-11-22 01:13:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网功效二极管
页数	文件大小	规格书
12页	371K
描述
100 V field-effect rectifier diode

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FERD40H100STS 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	0.58
Samacsys Description：	Rectifiers RECTIFIER	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.675 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	440 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	190 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

FERD40H100STS 数据手册

FERD40H100S

100 V field-effect rectifier diode

Datasheet - production data

Description

The device is based on a proprietary technology

that achieves the best in class V_F/I_Rtrade-off for a

given silicon surface. This 100 V rectifier has

been optimized for use in confined applications

where both efficiency and thermal performance

are key. With a lower dependency of leakage

current (I_R) and forward voltage (V_F) in function of

temperature, the thermal runaway risk is reduced.

It is highly recommended to be used in adapters

and chargers.

TO-220AB

D²PAK

Table 1: Device summary

Symbol

I_F(AV)

Value

40 A

Features

V_RRM

100 V



ST advanced rectifier process

Stable leakage current over reverse voltage

Reduced leakage current

Low forward voltage drop

High frequency operation

V_F(max.)

I_R(max.)

T_j(max.)

0.375 V

190 µA

175 °C

April 2016

DocID029155 Rev 1

1/12

www.st.com

This is information on a product in full production.

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