是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 0.96 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 18 A |
最大漏极电流 (ID): | 18 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0048 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 205 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FDS8690 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 14A, 7.6mOhm |
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FDS8690 | ONSEMI | N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,14A,7.6mΩ |
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FDS8812NZ | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 20A, 4.0mohm |
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FDS8813NZ | ONSEMI | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,18.5A,4.5mΩ |
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FDS8813NZ | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 18.5A, 4.5mohm |
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FDS8813NZ-G | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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