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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 690 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 160 A | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FDD8870_08 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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| FDD8870_F085_13 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 160A, 3.9 |
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| FDD8870_NL | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDD8870-F085 | ONSEMI | 30 V、160 A、3.2 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench® |
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| FDD8874 | FAIRCHILD | N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 116A |
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| FDD8874 | ONSEMI | N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，116A，5.1mΩ |
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