FDD8870

更新时间： 2024-01-13 02:18:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
11页	129K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD8870 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	160 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD8870 数据手册

Typical Characteristics T = 25°C unless otherwise noted

1000

100

10µs

STARTING T_J= 25^oC

100µs

STARTING T_J= 150^oC

OPERATION IN THIS

AREA MAY BE

1ms

LIMITED BY r_DS(ON)

10ms

If R = 0

t_AV= (L)(I_AS)/(1.3*RATED BV_DSS- V_DD

SINGLE PULSE

)

T_J= MAX RATED

If R≠ 0

T_C= 25^o

t_AV= (L/R)ln[(I_AS*R)/(1.3*RATED BV_DSS- V_DD) +1]

0.1

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

0.1

100

t_AV, TIME IN AVALANCHE (ms)

NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515

Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area

Figure 6. Unclamped Inductive Switching

Capability

100

PULSE DURATION = 80µs

V_GS= 5V

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

V_DD= 15V

V_GS= 4V

T_J= 175^o

V_GS= 10V

V_GS= 3V

T_J= 25^oC

V_GS= 2.5V

T_C= 25^oC

PULSE DURATION = 80µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

T_J= -55 C

0.2

0.4

0.6

1.5

2.0

2.5

3.0

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 7. Transfer Characteristics

Figure 8. Saturation Characteristics

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

PULSE DURATION = 80µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

PULSE DURATION = 80µs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

I_D= 35A

I_D= 1A

V_GS= 10V, I_D= 35A

-80

-40

120

160

200

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Gate

Voltage and Drain Current

Figure 10. Normalized Drain to Source On

Resistance vs Junction Temperature

FDD8870 / FDU8870 Rev. C

1 2 345 6 7...11

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