FDD8870

更新时间： 2024-01-01 18:57:42

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
11页	129K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDD8870 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
雪崩能效等级（Eas）：	690 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	160 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.0044 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDD8870 数据手册

Typical Characteristics T = 25°C unless otherwise noted

1.2

175

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

150

125

100

CURRENT LIMITED

BY PACKAGE

150

100

125

175

100

125

150

175

T_C, CASE TEMPERATURE (^oC)

Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case

Temperature

Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs

Case Temperature

DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P_DM

0.1

t₁

t₂

NOTES:

DUTY FACTOR: D = t₁/t₂

SINGLE PULSE

0.01

PEAK T_J= P_DMx Z_θJCx R_θJC+ T_C

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)

Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

2000

T_C= 25^o

TRANSCONDUCTANCE

MAY LIMIT CURRENT

IN THIS REGION

FOR TEMPERATURES

ABOVE 25^oC DERATE PEAK

1000

CURRENT AS FOLLOWS:

V_GS= 4.5V

175 - T_C

I = I

150

100

-1

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10⁰

10¹

t, PULSE WIDTH (s)

Figure 4. Peak Current Capability

FDD8870 / FDU8870 Rev. C

1 234 5 6 7...11

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