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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DPAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.95 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 95 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDD16AN08A0_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDD16AN08A0-F085 | ONSEMI |
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N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ |
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| FDD18N20LZ | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，UniFETTM，200 V，16 A，125 m |
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| FDD20AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD20AN06A0_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20mW |
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| FDD20AN06A0-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
60 V、45 A、17 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench® |
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| FDD2-1875 | ETC |
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Insulated Crimp Terminals Metric |
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| FDD2-1878 | ETC |
获取价格 |
Insulated Crimp Terminals Metric |
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| FDD2-250 | ETC |
获取价格 |
Insulated Crimp Terminals Metric |
|
| FDD24AN06LA0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET |
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