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FDC2214RGHR

更新时间： 2024-02-11 03:11:35

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FDC2214RGHR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFN
包装说明：	HVQCCN,	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.55	模拟集成电路 - 其他类型：	ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：	S-PQCC-N16	JESD-609代码：	e3
长度：	4 mm	湿度敏感等级：	1
信道数量：	4	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	0.75 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	9-Sep-19 V
宽度：	4 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDC2214RGHT	TI	4 通道、28 位、电容数字转换器 \| RGH \| 16 \| -40 to 125	获取价格
FDC2310	TE	Open Carrier Frequency Doubler For Microwave Telecommunications	获取价格
FDC2310	MACOM	(non-RoHS) Frequency Doubler	获取价格
FDC2512	FAIRCHILD	150V N-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
FDC2512	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，1.4A，425mΩ	获取价格
FDC2512_F073	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET	获取价格