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FCH10A18

更新时间： 2024-02-13 23:55:50

品牌	Logo	应用领域
NIEC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	54K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 180V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO TO-220, 3 PIN

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FCH10A18 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	最大非重复峰值正向电流：	100 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
最大重复峰值反向电压：	180 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

FCH10A18 数据手册

SBD T y p e : FCH10A18

OUTLINE DRAWING

10A 180V Tj:150°C

FEATURES

*TO-220AB Case

*Fully Molded

*Dual Diodes – Cathode Common

*Low Forward Voltage Drop

*Tj=150 °C operation

APPLICATIONS

*For Replacement of 200V FRD

(Low Noise ,High Efficiency Power Supply)

Maximum Ratings

Approx Net Weight: 1.75g

FCH10A18

Rating

Symbol

V_RRM

I_O

I_F(RMS)

I_FSM

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

180

50 Hz Full Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

Tc=120°C

11.1

100

50Hz Full Sine Wave ,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Mounting torque

T_jw

T_stg

Ftor

-40 to +150

recommended torque = 0.5

°C

N•m

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

per Arm

Tj= 25°C, I_FM= 5A

per Arm

I_RM

200

µA

Peak Forward Voltage

Thermal Resistance

V_FM

0.90

Rth(j-c) Junction to Case

Rth(c-f) Cace to Fin

3.0 °C /W

1.5 °C /W

12 3 4 5 6

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