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FCH10A18

更新时间： 2024-02-18 04:31:34

品牌	Logo	应用领域
NIEC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	54K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 180V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO TO-220, 3 PIN

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FCH10A18 技术参数

PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE

Tj= 150 °C

FCH10A18 (per Arm)

120

160

200

PEAK REVERSE VOLTAGE (V)

AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION

FCH10A18 (Total)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

RECT 180°

SINE WAVE

120

160

200

REVERSE VOLTAGE (V)

1 2 345 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FCH10A20	NIEC	获取价格	Schottky Barrier Diode
FCH10A20	KYOCERA AVX	获取价格	Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b
FCH10AU10	NIEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220,
FCH10E10	KYOCERA AVX	获取价格	Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b
FCH10U06	NIEC	获取价格	10A Avg. 60Volts
FCH10U10	NIEC	获取价格	Schottky Barrier Diode
FCH10U15	NIEC	获取价格	Schottky Barrier Diode
FCH10U20	NIEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
FCH110N65F-F155	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650 V，35 A
FCH125N60E	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，Easy Drive，600 V，