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FC3355

更新时间： 2024-09-15 02:50:31

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描述
超高频低噪声功率管是一种基于N 型外延层的晶体管

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FC3355 数据手册

FC3355

NPN SILICON RF TRANSISTOR

描述

FC3355 硅超高频低噪声功率管是一种基于 N 型外延层的晶体管。具有高功率增益、

低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。采用 TO-92 封装，具有理想的功率特性，

FC3355 主要应用于 VHF、UHF、CATV 高频低噪声放大器。

主要特性

高增益: ︱S21︱²典型值为 9.5dB

低躁声: NF 典型值为 1.5dB

增益带宽乘积: fT 典型值为 6GHz

@ VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

@ VCE=10V,IC=7mA, f=1GHz

@ VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz

订购信息

产品号

FC3355

标准包装

1K/包

极限工作条件范围 (TA=25℃)

参数

集电极基极击穿电压

集电极发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

集电极电流

符号

VCBO

VCEO

VEBO

极值

单位

100

500

150

℃

功耗

结温度

存储温度

Tstg

-65 +150

hFE 规格

等级

标号

hFE

50 - 250

LASERON MICRO ELECTRONIC CO., LTD

- 1 -

12 3

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