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FC143 PDF预览

FC143

更新时间： 2024-11-11 22:40:51
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三洋 - SANYO 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

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FC143 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

FC143 数据手册

 浏览型号FC143的Datasheet PDF文件第2页 
Ordering number:EN3478  
FC143  
NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor  
Switching Applications  
(with Bias Resistance)  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Switching circuits, inverter circuits, interface circuits,  
driver circuits.  
2066  
[FC143]  
Features  
· On-chip bias resistance (R1=4.7kΩ, R2=10kΩ).  
· Composite type with 2 transistors contained in the  
CP package currently in use, improving the mount-  
ing efficiency greatly.  
· The FC143 is formed with two chips, being equiva-  
lent to the 2SC4360, placed in one package.  
· Excellent in thermal equilibrium and pair capability.  
C1:Collector 1  
C2:Collector 2  
B2:Base 2  
EC:Emitter Common  
B1:Base 1  
Electrical Connection  
SANYO:CP5  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Collector-to-Base Voltage  
V
50  
50  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
6
V
EBO  
I
100  
200  
200  
300  
150  
mA  
mA  
mW  
mW  
˚C  
C
Peak Collector Current  
Collector Dissipation  
Total Dissipation  
I
CP  
P
C
P
T
Tj  
1 unit  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditons  
Unit  
min  
max  
0.1  
Collector Cutoff Current  
I
I
V
V
V
V
V
V
I
=40V, I =0  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
CB  
CE  
EB  
CE  
CE  
CB  
E
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
=40V, I =0  
E
=5V, I =0  
C
=5V, I =10mA  
C
=10V, I =5mA  
C
0.5  
I
262  
340  
485  
EBO  
h
50  
FE  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
C-E Saturation Voltage  
C-B Breakdown Voltage  
C-E Breakdown Voltage  
Input OFF-State Voltage  
Input ON-State Voltage  
Input Resistance  
f
250  
3.3  
0.1  
MHz  
pF  
V
T
Cob  
=10V, f=1MHz  
V
=10mA, I =0.5mA  
B
=10µA, I =0  
E
0.3  
CE(sat)  
C
V
V
I
I
50  
50  
V
(BR)CBO  
C
C
=100µA, R =∞  
V
(BR)CEO  
BE  
V
V
=5V, I =100µA  
0.7  
0.85  
1.3  
0.95  
2.0  
V
I(off)  
CE  
CE  
C
V
V
=0.2V, I =10mA  
C
0.95  
3.3  
V
I(on)  
R1  
4.7  
6.1  
kΩ  
Resistance Ratio  
R1/R2  
0.47  
Note:The specifications shown above are for each individual transistor.  
Marking:143  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
52098HA (KT)/7190MH, TA (KOTO) No.3478-1/2  
12

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