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FC151

更新时间： 2024-09-23 22:40:51
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三洋 - SANYO 放大器
页数 文件大小 规格书
5页 138K
描述
High-Frequency Amp, Current Mirror Circuit Applications

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FC151 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.82最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：1.5 pF集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3000 MHz
Base Number Matches：1

FC151 数据手册

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Ordering number:EN4652  
FC151  
PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor  
High-Frequency Amp, Current Mirror  
Circuit Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Composite type with 2 transistors contained in the CP  
package currently in use, improving the mounting  
efficiency greatly.  
2103A  
[FC151]  
· The FC151 is formed with two chips, being equiva-  
lent to the 2SA1669, placed in one package.  
· Excellent in thermal equilibrium and pair capability.  
Electrical Connection  
1:Emitter 1  
2:Base 1  
1:Emitter 1  
2:Base 1  
3:Emitter 2  
4:Collector 2  
5:Base 2  
3:Emitter 2  
4:Collector 2  
5:Base 2  
6:Collector1  
6:Collector1  
SANYO:CP6  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Collector-to-Base Voltage  
V
–20  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
–15  
CEO  
V
–3  
–50  
V
EBO  
I
mA  
mW  
mW  
˚C  
C
Collector Dissipation  
Total Dissipation  
P
C
P
T
1 unit  
200  
300  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditons  
Unit  
min  
max  
–0.1  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
=–15V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=–2V, I =0  
E
–0.1  
100  
EBO  
h
=–10V, I =–5mA  
20  
FE  
C
DC Current Gain Ratio  
h
(small/  
large)  
=–10V, I =–5mA  
C
0.7  
0.93  
FE  
B-E Voltage Difference  
V
(large-  
small)  
V
=–10V, I =–5mA  
C
3.0  
15  
mV  
BE  
CE  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Forward Transfer Gain  
Noise Figure  
f
V
V
V
V
=–10V, I =–5mA  
C
=–10V, f=1MHz  
1.5  
5
3.0  
1.0  
GHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
CE  
Cob  
| S21e |  
NF  
1.5  
=–10V, I =–5mA, f=0.9GHz  
C
=–10V, I =–3mA, f=0.9GHz  
C
dB  
2.0  
dB  
Note:The specifications shown above are for each individual transistor. However, the specifications of h (small/large)  
FE  
and h (large-small) are for pair capability  
FE  
Marking:151  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
52098HA (KT)/41594TH(KOTO) X-7850 No.4652-1/5  
12345

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