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FA1F4N-T2B

更新时间: 2024-02-15 01:35:16
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瑞萨 - RENESAS 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

FA1F4N-T2B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, SC-59, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.79
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.136最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):95JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):6000 ns
最大开启时间(吨):300 nsVCEsat-Max:0.2 V
Base Number Matches:1

FA1F4N-T2B 数据手册

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