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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 300 |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FA1F4ZL66-T1B-AT | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| FA1F4ZL66-T2B-A | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| FA1F4ZL66-T2B-AT | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| FA1F4Z-LL64 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| FA1F4Z-T1B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| FA1F4Z-T1BL66 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| FA1F4Z-T2B-AT | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| FA1F4Z-T2BL64 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| FA1F4Z-T2BL65 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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| FA1F4Z-T2BL66 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC |
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