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FA1L3N

更新时间: 2024-01-22 12:00:04
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD

FA1L3N 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-59
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.6
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):6000 ns最大开启时间(吨):200 ns
Base Number Matches:1

FA1L3N 数据手册

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