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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.128 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 6000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 200 ns | VCEsat-Max： | 0.2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FA1L3N-T1B-A | RENESAS |
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FA1L3N-T1B-A |
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| FA1L3N-T1B-AT | RENESAS |
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FA1L3N-T1B-AT |
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| FA1L3N-T2B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| FA1L3N-T2B-A | RENESAS |
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FA1L3N-T2B-A |
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| FA1L3Z | NEC |
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MEDIUM SPEED SWITCHING RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR MINI MOLD |
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| FA1L3ZL36 | NEC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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| FA1L3ZL36-L | RENESAS |
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FA1L3ZL36-L |
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| FA1L3ZL36-T1B | RENESAS |
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FA1L3ZL36-T1B |
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| FA1L3ZL36-T1B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| FA1L3ZL36-T1B-A | RENESAS |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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